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本发明涉及一种方形双不对称元胞结构UMOSFET及制备方法，该UMOSFET包括：SiC衬底；外延N‑漂移区设置在SiC衬底的上表面；P阱区设置在外延N‑漂移区的上表面；N+区设置在P阱区的上表面；P+阱区从N+区的上表面向下延伸贯穿N+区...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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