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本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种垂直结构纳米空气沟道三极管及其制备方法。该空气沟道三极管包括自下而上依次堆叠设置的漏极层/栅极层、第一牺牲层、源极层、第二牺牲层、以及栅极层/漏极层；其中，漏极层尺寸＞源极层尺寸＞第一牺牲层尺寸＞栅...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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