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本发明提供一种具有N型超结沟槽栅的MOSFET器件结构，包括：在高掺杂N型的衬底上外延形成的P型外延层；在P型外延层表面形成有P型体区；在P型体区顶部形成有栅沟槽，栅沟槽从外延层的上表面向下延伸穿过P型体区，在栅沟槽的底部形成有N型漂移区，...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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