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本申请提供一种背照式图像传感器的制备方法，先刻蚀部分厚度的绝缘层，然后再刻蚀剩余厚度的绝缘层、第二高K介质层、第一高K介质层以及过刻蚀部分厚度的衬底，其中刻蚀第二高K介质层的气体至少包括BCl<subgt;3</subgt;、氯...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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