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本发明公开了一种低应力石墨生长环、导流筒与碳化硅单晶生长方法，包括下述步骤：（1）对石墨生长环和导流筒这两个石墨件进行预处理；（2）对石墨件进行高温碳化处理；（3）往生长容器的内腔中装入高纯碳化硅粉；将整个生长容器装入生长炉中；（4）对生长...
该专利属于汕头天意半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过汕头天意半导体技术有限公司授权不得商用。

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