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本发明是一种Ａｌ掺杂ＺｎＯ半导体纳米柱的制备方法，称取Ｚｎ粉和Ｆｅ粉均匀混合后置于刚玉舟内；将硅片镀有金膜面朝下，固定在刚玉舟的上方，通入Ａｒ气，加热后随炉冷却，制得ＺｎＯ纳米籽晶。配制生长溶液，加热搅拌后，将制得的ＺｎＯ纳米籽晶放入生长溶...
该专利属于北京科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京科技大学授权不得商用。

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