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本发明公开了单电子磁电阻结构及其应用，例如自旋二极管、自旋晶体管、传感器、磁性随机存取存储器和磁逻辑器件单元。其中，ＧＭＲ量子点单电子隧穿磁阻结构包括一衬底，及其上的底部导电层、第一势垒层、ＧＭＲ磁性量子点层、第二势垒层、顶部导电层。双势垒...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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