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本发明提供了一种具有低阈值电场的硅基场发射阴极材料及其制备方法。该场发射阴极材料可为ＧａＮ、ＡｌＮ、ＢＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ，并且具有如下特征：直接带隙半导体且带隙宽度应介于３ｅＶ至７ｅＶ，能形成六方纤锌矿结构，且材料沿六方纤锌矿结构的（００２...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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