温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于半导体功率器件技术领域，提供一种具有低导通压降与饱和电流的IGBT功率器件，创造性的提出新型沟槽集成结构，能够实现低饱和电流密度和低开态电压降，低的饱和电流密度可以增强器件的短路能力，低的开态电压降可以减小器件的开关损耗；并且，自...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。