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本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述结构包括：衬底、埋层、掺杂层、阱区、第一隔离阱区，围绕所述阱区设置，与所述掺杂层相连接形成用于隔离所述阱区的第一隔离结构；第二隔离阱区，围绕所述第一隔离阱区设置，与所述埋层相连接形成用于隔离所...
该专利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（天津）有限公司授权不得商用。

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