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本发明涉及一种双异质结光电晶体管及其制备方法和应用，其异质结基光电晶体管是将通过“蒸镀‑转移‑刻蚀”法制得的拓扑绝缘体Bi<subgt;2</subgt;Se<subgt;3</subgt;纳米片转移到SiO<...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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