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一种用于制造超导芯片的堆叠体，包括：至少一个约瑟夫逊结(105)，至少一个电容器(110)，以及包括NbTiN的一个或多个高动态电感线(107A)。所述高动态电感线被配置成将所述至少一个约瑟夫逊结电耦合到所述至少一个电容器以形成超导电路(5...该专利属于IMEC美国纳米电子设计中心所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC美国纳米电子设计中心授权不得商用。
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一种用于制造超导芯片的堆叠体，包括：至少一个约瑟夫逊结(105)，至少一个电容器(110)，以及包括NbTiN的一个或多个高动态电感线(107A)。所述高动态电感线被配置成将所述至少一个约瑟夫逊结电耦合到所述至少一个电容器以形成超导电路(5...