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本申请提供一种相变存储器和存储系统，相变存储器包括第一电极层；相变存储层，位于第一电极层的一侧；第一导热层，位于第一电极层与相变存储层之间；其中，第一导热层包括第一子导热层和第二子导热层，第二子导热层位于第一子导热层靠近相变存储层的一侧，第...
该专利属于新存科技（武汉）有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过新存科技（武汉）有限责任公司授权不得商用。

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