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本发明提供碳化硅沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及制备方法。碳化硅沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管包括层叠接触设置的N+源区、P‑基区以及漏区；还包括从表层贯通N+源区、P‑基区并延伸至至少接触漏区的凹槽；凹槽表面覆盖形成沟道反向掺杂层...
该专利属于合肥艾创微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥艾创微电子科技有限公司授权不得商用。

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