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本发明公开了一种提高激光减薄半导体材料效率的方法及装置，通过在碳化硅薄片剥离后的碳化硅晶锭表面制备硬度较低的氧化层，降低了机械抛光碳化硅表面的难度，可以以最快速度将碳化硅晶锭表面抛光至激光可以入射到材料体内的程度，进而开始下一轮的减薄改质加...
该专利属于中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院上海激光等离子体研究所授权不得商用。

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