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本发明公开了一种增强SOI晶圆柔顺滑移效应的多层埋绝缘层结构及制作方法，主要解决现有SOI晶圆埋绝缘层柔顺滑移特性有限的问题。其自上而下包括第1层SiO<subgt;2</subgt;、第2层SiO<subgt;x<...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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