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本发明公开了一种基于SiON埋绝缘层的SOI晶圆及制作方法，主要解决现有SOI晶圆埋绝缘层柔顺滑移特性有限的问题。其自上而下包括顶层Si、埋绝缘层和衬底Si，该埋绝缘层采用SiON薄膜，其厚度为90nm～4μm，并先通过湿氧工艺在衬底Si上...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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