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本发明公开了一种CVD金刚石多层膜、膜生长装置及方法，该装置包括：反应腔，其为柱形空腔且在空腔底部一侧设置气体入口；该气体入口通入氢气和含碳气体的混合气；衬底，其温度可控作为金刚石多层膜生长基体，该基体设置在工作台上；热丝组件，其形状与衬底...
该专利属于中国石油化工股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国石油化工股份有限公司授权不得商用。

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