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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有相背的第一表面和第二表面；用于形成光电二极管的第一离子掺杂区，从所述衬底的第一表面延伸至所述衬底中；第二离子掺杂区，从所述衬底的第二表面延伸至所述衬底中，所述第二...
该专利属于武汉新芯集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路股份有限公司授权不得商用。

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