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本发明公开了一种大模场掺杂增益光纤及其应用，通过在纤芯中掺入氟离子降低纤芯的整体折射率就能够同时有效增大基模的模场面积和高阶模损耗系数，提高大模场掺杂增益光纤SBS和TMI抑制能力。进一步地，通过调整纤芯不同区域掺杂的增益掺杂离子和氟离子的...
该专利属于中国人民解放军国防科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国人民解放军国防科技大学授权不得商用。

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