温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种改善电场特性的增强型氮化镓器件结构及其制备方法，氮化镓器件结构包括：缓冲层、势垒层、P型GaN层、N型AlGaN层、源极、漏极和栅极，其中，缓冲层和势垒层层叠，且缓冲层和势垒层之间形成二维电子气沟道；P型GaN层和N型AlGa...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。