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本发明属于氟化钙晶体技术领域，具体涉及一种通过痕量元素掺杂提高氟化钙晶体可见波段耐辐照损伤性能的方法。为解决特定使用场景下氟化钙晶体的抗辐照损伤特性，本发明通过控制氟化钙晶体中能够F空位形成竞争机制的高价变价杂质离子的含量，使得在受到高能辐...
该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。

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