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本技术提供一种多沟道鳍式高电子迁移率场效应晶体管，属于半导体器件技术领域。该多沟道鳍式高电子迁移率晶体管由下至上依次包括衬底、缓冲层、多个依次叠加设置的沟道，及栅电极、源电极和漏电极；每个沟道由下至上依次包括第一隔离层、沟道层和势垒层；沟道...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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