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一种前置预放大器电路，包括晶体管ＮＭＯＳ３、晶体管ＮＭＯＳ４和晶体管ＮＭＯＳ５，其特征在于前置预放大器电路的负载为晶体管ＮＭＯＳ１和晶体管ＮＭＯＳ２；本发明的优越性在于：１．这种电路的负载特性受半导体工艺和温度变化的影响很小，可以工作的输入...
该专利属于天津南大强芯半导体芯片设计有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津南大强芯半导体芯片设计有限公司授权不得商用。

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