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本发明得到一种能够防止真空吸附时的ＧａＮ基板的破裂的氮化物半导体装置的制造方法。在将ｎ型ＧａＮ基板（１０）搭载在基板支持器（５６）上的状态下，使由ＧａＮ类材料构成的半导体层（１２）在ｎ型ＧａＮ基板（１０）的Ｇａ面外延生长，然后用真空吸附装置...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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