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一种扩大半导体晶圆光学监测系统的制程监控能力的方法，其比现行的方法能更灵敏地检测晶圆表面上制程变异的微小影响。该方法实质上利用几何区块将监测表面上感测过的小点分组，并使每个区块与同一晶圆的另一晶粒上对应位置的区块相比较，以及与另一晶圆的一晶...
该专利属于应用材料股份有限公司;应用材料以色列公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料股份有限公司;应用材料以色列公司授权不得商用。

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