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本发明涉及具有线源极和线漏极的晶体管。一种场效应晶体管，至少包括栅极（１）、绝缘体层（２）、漏极（３）、源极（４）、将所述源极（４）连接到所述漏极（３）的半导体材料（５０），所述栅极（１）和所述绝缘体层（２）每个都包围由所述源极（４）、所述...
该专利属于原子能委员会所有，仅供学习研究参考，未经过原子能委员会授权不得商用。

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