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本技术涉及半导体器件的技术领域，提供一种MOS功率晶体管模块及其版图结构，MOS功率晶体管模块包括：功率管单元，包括源极和漏极；第一结构层，包括电绝缘的第一导电层和第二导电层，第一导电层与多个功率管单元的源极电连接，第二导电层与多个功率管单...
该专利属于北京伽略电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京伽略电子股份有限公司授权不得商用。

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