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本申请涉及太阳电池领域，尤其涉及一种金半接触结构、太阳电池及光伏组件。金半接触结构包括：掺杂半导体层；金属电极，与掺杂半导体层相互接触；在掺杂半导体层与金属电极的接触界面处具有第一导电区域，在第一导电区域中具有：第一导电结构，包括分布于第一...
该专利属于通威太阳能（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过通威太阳能（成都）有限公司授权不得商用。

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