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本发明提供一种结型场效应管控制型RC‑IGBT器件及其制备方法，器件包括：依次层叠的金属集电极、集电区、N型漂移区、P阱、N型载流子阻挡层、P型基区、N型发射区和金属发射极；主控制栅极结构，自P型基区延伸至N型漂移区中；发射栅极结构，自P型...
该专利属于瑶芯微电子科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑶芯微电子科技（上海）有限公司授权不得商用。

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