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碳化硅晶体管的结构和制备方法技术
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文档序号:42299573
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本申请实施例提供了一种碳化硅晶体管的结构和制备方法,该碳化硅晶体管的结构包括:碳化硅衬底,碳化硅衬底中掺杂有第一元素;外延层,外延层设置于碳化硅衬底的上表面;第一金属层,第一金属层设置于碳化硅衬底的下表面,第一金属层与碳化硅衬底之间形成欧姆...
该专利属于华为技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华为技术有限公司授权不得商用。
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