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本发明属于集成光学器件技术领域，公开了一种无定形硅‑厚膜铌酸锂混合集成弯曲转换器及其制备方法，该器件的厚膜铌酸锂层被光刻刻蚀出厚膜铌酸锂端面耦合器、第一和第二厚膜铌酸锂波导；无定形硅层包括第一和第二无定形硅‑铌酸锂楔形波导光学模式转换结构、...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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