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本发明提供一种包含Si/4H‑SiC异质发射结和半超结的增强型逆导‑绝缘栅双极晶体管的制备方法，包括选取p<supgt;+</supgt;型SiC衬底并刻蚀凹槽，在凹槽生长n<supgt;+</supgt;型层；继而...
该专利属于温州大学所有，仅供学习研究参考，未经过温州大学授权不得商用。

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