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本申请属于半导体领域，涉及辐射探测芯片及其制备方法、辐射探测方法，辐射探测芯片包括：封装壳体，以及位于封装壳体中的碲锌镉探测器和信号采集读出电路；其中碲锌镉探测器包含碲锌镉晶体、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极通过绝缘带间隔，并且第一...
该专利属于陕西迪泰克新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西迪泰克新材料有限公司授权不得商用。

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