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本发明公开了一种在Si衬底上实现高质量N极性III族氮化物厚膜的生长方法，首先在Si衬底上使用分子束外延(MBE)生长N极性Al(Sc)N缓冲层，然后在避免表层形成含氧层的情况下，使用物理气相沉积(PVD)在Al(Sc)N缓冲层上生长N极性...
该专利属于北京中博芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京中博芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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