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半导体装置及该半导体装置的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:4223476
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本发明涉及一种半导体装置及该半导体装置的制造方法。本发明的目的之一在于即使在形成栅极绝缘层、源电极层及漏电极层之后形成氧化物半导体的情况下,也抑制元件特性恶化。在衬底上形成栅电极层,在栅电极层上形成栅极绝缘层,在栅极绝缘层上形成源电极层及漏...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。
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