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本发明公开了基于MEMS工艺制备的三层结构FAIMS芯片，属于芯片制造领域，本发明通过把离化区、迁移区、收集检测区高度整体集成为三层结构FAIMS芯片，利用微米尺度蛇形沟道结构使微型腔室得到更加均匀的流速和更少的死体积，从而实现离子快速迁移...
该专利属于中国石油大学（华东）所有，仅供学习研究参考，未经过中国石油大学（华东）授权不得商用。

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