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本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于三维碳化硅的宽温域超级电容器及其制备方法。本发明将碳化硅单晶经激光切割、浸泡除去氧化层、激光刻蚀形成沟道结构、电化学刻蚀处理后获得三维碳化硅电极，将三维碳化硅电极分别作为正极、负极电极材料进行叠...
该专利属于山东大学深圳研究院所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学深圳研究院授权不得商用。

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