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本发明提供一种降低单粒子效应的沟槽型IGBT的抗辐射加固结构，在发射极N型重掺杂区域的下方添加薄层氧化层，阻碍电流路径，降低反馈电流，同时降低发射极端电场，抑制闩锁效应的发生，进而解决重粒子辐照后沟槽型IGBT容易发生SEB的问题，提高了S...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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