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本公开提供了一种高密度存储器及其制备方法、电子设备。该高密度存储器包括：半导体衬底，半导体衬底包括深阱层和设置于深阱层中的多个浅阱层，半导体衬底中设置有多个浅沟槽隔离结构和多个深沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构设置于浅阱层中，深沟槽隔离结构的底...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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