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本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，其中，半导体器件的制造方法包括：提供衬底；于所述衬底上形成扩散源结构，所述扩散源结构包括至少一具有掺杂元素的外延层，所述外延层形成于所述衬底上；基于所述扩散源结构于所述衬底内形成扩散层，其中，所述扩散层...
该专利属于北京怀柔实验室所有，仅供学习研究参考，未经过北京怀柔实验室授权不得商用。

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