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本申请提供一种后段金属互连结构及其制备方法，其中制备方法中，先刻蚀硬掩膜层，然后刻蚀缓冲层，形成第一沟槽；接着刻蚀至少部分厚度的低K电介质材料层，形成第二沟槽，本申请通过在刻蚀缓冲层选用较大的刻蚀气体的C/F比，以及在刻蚀低K电介质材料层时...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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