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一种功率半导体器件包括半导体层结构，该半导体层结构包括第一导电类型的半导体漂移区域以及包括第二导电类型的多个保护环的边缘端接区域。保护环延伸到半导体漂移区域的表面中。保护环分别包括与表面相邻的第一部分和与表面间隔开的第二部分，其中第一部分比...
该专利属于沃孚半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过沃孚半导体公司授权不得商用。

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