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本发明涉及真空微纳电子源的技术领域，更具体地，涉及一种提升供应电流的电子源结构及其制备方法，利用厚度均匀的绝缘层贴合覆盖与发射体串联的P型半导体凸起结构表面，覆盖绝缘层外表面的控制电极相对P型半导体处于高电位，在凸起结构侧表面形成大面积的载...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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