温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本方案涉及离子注入工艺技术领域，具体涉及一种离子注入改善永磁体损耗性能的方法及永磁体，以改善其损耗特性。通过离子注入B i、N离子，使得永磁体表面导电性能降低，涡流现象得到明显减弱，此外由于b i、N化合物在晶界的析出，钉扎作用有利于维持较...
该专利属于广能亿能（北京）核能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广能亿能（北京）核能科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。