温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种铁电增强的砷化镓基异质结光电探测器及其制备方法，包括衬底层、下电极层、半导体层、铁电功能层和上电极层，下电极层位于衬底层一侧，半导体层、上电极层由下至上依次设置于衬底层远离下电极层的一侧，铁电功能层位于...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。