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本发明公开了一种增透型垂直腔面发射激光器及芯片，激光器包括：有源区和位于有源区相对两侧的布拉格反射层；有源区包括至少5个有源层和位于有源层之间的隧道结；其中，有源区与至少一侧的布拉格反射层之间设置有光增透存储腔；光增透存储腔用于将光场强度峰...
该专利属于常州纵慧芯光半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州纵慧芯光半导体科技有限公司授权不得商用。

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