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本发明公开了一种光电原位有源像素传感器，器件单元结构形成于双埋层SOI衬底上。双埋层SOI衬底包括：半导体主体层、第二介质埋层、半导体中间层、第一介质埋层和半导体顶层。感光结构包括半导体中间层以及和半导体中间层相接触的第一半导体外延层和第一...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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