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本发明提供一种高纯度片状氢氧化镁生产制备工艺，解决了氢氧化镁难过滤而导致其纯度难以提高的问题，其基本工艺是：以水氯镁石或氯化镁为主要原料，氢氧化钠为主要沉淀剂，反应前加入晶种，在１５～１００℃进行液相沉淀沉淀反应，同时加入晶体促进剂，反应完...
该专利属于钟辉所有，仅供学习研究参考，未经过钟辉授权不得商用。

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