下载单中继MC-WPT系统及其抗偏移参数设计方法的技术资料

文档序号:42142483

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本发明涉及磁耦合无线电能传输(MC‑WPT系统)技术领域,具体公开了一种单中继MC‑WPT系统及其抗偏移参数设计方法,该方法首先建立了单中继LCC‑S‑S电路模型,分析系统特性。然后基于系统特性,确定能够实现系统强抗偏移性能的中继线圈的位置...
该专利属于重庆大学所有,仅供学习研究参考,未经过重庆大学授权不得商用。

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